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MGFC36V5964A

更新时间: 2024-11-08 22:13:39
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三菱 - MITSUBISHI 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 105K
描述
5.9 - 6.4GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

MGFC36V5964A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:10 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3.8 A
最大漏极电流 (ID):1.2 AFET 技术:JUNCTION
最高频带:C BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W最小功率增益 (Gp):9 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

MGFC36V5964A 数据手册

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