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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N13 | 针数： | 13 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.40 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 6 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-XUUC-N13 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 13 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC1801-A12 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1801-T02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1801-T03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC2407-T02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC2407-T03 | MITSUBISHI |
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暂无描述 |
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| MGFC2415A | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFC2415-T02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFC2415-T03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFC2430A | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFC2430-T03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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