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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.40 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-XUUC-N7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC1403-T01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1403-T02 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1403-T03 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1412-T01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1412-T02 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1412-T03 | MITSUBISHI |
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暂无描述 |
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| MGFC1423-T01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGFC1423-T02 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGFC1423-T03 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGFC1425-T03 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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