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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LCC22C,.25X.28,40 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 构造： | COMPONENT | 最大输入功率 (CW)： | 5 dBm |
| JESD-609代码： | e0 | 安装特点： | SURFACE MOUNT |
| 端子数量： | 22 | 最大工作频率： | 1780 MHz |
| 最小工作频率： | 1750 MHz | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装等效代码： | LCC22C,.25X.28,40 | 电源： | 3 V |
| 射频/微波设备类型： | NARROW BAND MEDIUM POWER | 子类别： | RF/Microwave Amplifiers |
| 表面贴装： | YES | 技术： | GAAS |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 最大电压驻波比： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF-7201 | MITSUBISHI |
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RF/Microwave Amplifier, GAAS |
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| MGF7201A | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, GAAS |
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| MGF7201A-01 | MITSUBISHI |
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Narrow Band Low Power Amplifier, 14000MHz Min, 14500MHz Max, |
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| MGFC0904-03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC0905-03 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC1402-T01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1402-T02 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1402-T03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGFC1403 | MITSUBISHI |
获取价格 |
FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
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| MGFC1403-A03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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