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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> MGF7124A
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MGF7124A

更新时间： 2024-09-16 22:32:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
1页 12K
描述
1.9GHz BAND AMPLIFIER MMIC

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MGF7124A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP8,.5Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
最大输入功率 (CW)：10 dBmJESD-609代码：e0
安装特点：SURFACE MOUNT端子数量：8
最大工作频率：1920 MHz最小工作频率：1890 MHz
最高工作温度：90 °C最低工作温度：-20 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SOP8,.5
电源：5 V射频/微波设备类型：NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers表面贴装：YES
技术：GAAS端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

MGF7124A 数据手册

  
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs MMIC  
MGF7124A  
1.9GHz BAND AMPLIFIER MMIC  
DESCRIPTION  
MGF7124A is a monolithic microwave integrated circuit for use in  
OUTLINE DRAWING  
Unit:millimeters  
1.9GHz band power amplifiers.  
8
1
2
3
4
Pi  
VD1  
NU  
VD2  
VG1  
VGdual  
VG2  
Po  
FEATURES  
7
6
5
• High output power  
PO=26dBm,p/4DQPSK  
• Small size  
5.8´ 12.2´ 1.8mm  
• Light weight  
8.4  
• Surface mount package  
• Low supply voltage operation  
VD=4.8V  
12.2  
• Enable to control gain  
VGdual=0/-4V  
APPLICATION  
Base-station of Japanese personal handyphone system(PHS)  
Pi  
VD1  
VD2  
: RF INPUT  
: 1st DRAIN BIAS  
: 2nd DRAIN BIAS  
VG1  
VG2  
: 1st GATE BIAS  
: 2nd GATE BIAS  
VGdual : GAIN CONTROL  
GND : GND  
PO  
: RF OUTPUT  
QUALITY GRADE  
• IG  
GC-3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
5.5  
Unit  
V
VD1,VD2  
Drain voltage  
VG1,VG2,  
VGdual  
Gate voltage  
-5.5  
V
Drain current  
ID1,ID2,ID3  
Pi  
500  
10  
mA  
dBm  
˚C  
Input power  
TC(op)  
Tstg  
Operating case temperature  
Storage temperature  
-20 to +90  
-35 to +120  
˚C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25˚C)  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Typ  
–
Max  
Min  
1.89  
4.8  
21  
(Note1)  
1.92  
5.2  
–
GHz  
V
Frequency  
f
Drain supply voltage  
5.0  
–
VD  
GP  
IDt  
dB  
mA  
dB  
Power gain  
Total drain current  
PO=26dBm,f=1.9GHz,p/4DQPSK  
–
300  
–
–
VGdual=0/-4V,PO=26dBm,f=1.9GHz  
20  
Gain control range  
–
Gcon  
A.C.P  
(±600kHz)  
PO=26dBm,f(ACP)=±600kHz,  
f=1.9GHz,p/4DQPSK  
–
–
–
–
-56  
-62  
dBc  
dBc  
Adjacent channel power  
PO=26dBm,f(ACP)=±900kHz,  
f=1.9GHz,p/4DQPSK  
A.C.P  
(±900kHz)  
Note1: ZS=ZL=50W,IDt-bias=ID1+ID2=280mA  
Nov. ´97  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGF7132BP MITSUBISHI

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 		UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER

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