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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOLCC8,.2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 构造： | COMPONENT |
| 最大输入功率 (CW)： | 15 dBm | JESD-609代码： | e0 |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT | 端子数量： | 8 |
| 最大工作频率： | 1785 MHz | 最小工作频率： | 1710 MHz |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码： | SOLCC8,.2 |
| 电源： | 4.7 V | 射频/微波设备类型： | NARROW BAND HIGH POWER |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers | 表面贴装： | YES |
| 技术： | GAAS | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大电压驻波比： | 3 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF7160C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Narrow Band Low Power Amplifier, 925MHz Min, 956MHz Max, |
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| MGF7165C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Narrow Band Low Power Amplifier, 1429MHz Min, 1453MHz Max, |
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| MGF7166C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Narrow Band High Power Amplifier, 1710MHz Min, 1785MHz Max, GAAS, |
|
| MGF7167C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Narrow Band High Power Amplifier, 1850MHz Min, 1910MHz Max, GAAS, |
|
| MGF7168C | MITSUBISHI |
获取价格 |
UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
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| MGF7169C | MITSUBISHI |
获取价格 |
UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
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| MGF7170AC | MITSUBISHI |
获取价格 |
UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
|
| MGF7175C | MITSUBISHI |
获取价格 |
3 Stage Amplifier with gain control UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
|
| MGF7176C | MITSUBISHI |
获取价格 |
3 Stage Amplifier with gain control UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
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| MGF-7201 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, GAAS |
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