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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MGF4921AM
MGF4921AM PDF预览

MGF4921AM

更新时间： 2024-09-17 11:59:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 230K
描述
4pin flat lead package

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MGF4921AM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.78Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.15 AFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：0.13 W最小功率增益 (Gp)：11.5 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MGF4921AM 数据手册

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< Low Noise GaAs HEMT >  
MGF4921AM  
4pin flat lead package  
DESCRIPTION  
The MGF4921AM super-low noise InGaAs HEMT (High Electron Mobility  
Transistor) is designed for use in L to C band amplifiers.  
The 4pin flat lead package is small-thin size, and offers high cost  
performance.  
Outline Drawing  
FEATURES  
・Low noise figure  
NFmin. = 0.35dB (Typ.)  
NFmin. = 0.35dB (Typ.)  
@ f=2.4GHz  
@ f=4GHz  
Fig.1  
・High associated gain  
Gs = 18.0dB (Typ.)  
Gs = 13.0dB (Typ.)  
@ f=2.4GHz  
@ f=4GHz  
APPLICATION  
L to C band low noise amplifiers  
MITSUBISHI Proprietary  
Not to be reproduced or disclosed without  
permission by Mitsubishi Electric  
QUALITY GRADE  
GG  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
V
DS  
=2V , I =10~25mA  
D
ORDERING INFORMATION  
Tape & reel  
15000pcs/reel  
RoHS COMPLIANT  
MGF4921AM is a RoHS compliant product. RoHS compliance is indicated by the letter “G” after the Lot Marking.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25C )  
Symbol  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Ratings  
Unit  
V
V
GDO  
GSO  
-3  
-3  
V
V
I
D
IDSS  
130  
mA  
mW  
C  
C  
PT  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
T
ch  
125  
T
stg  
-55 to +125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Ta=25C)  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Limits  
TYP.  
--  
Unit  
MIN.  
-3.5  
--  
MAX  
--  
V
I =-78A  
(BR)GDO Gate to drain breakdown voltage  
G
V
A  
mA  
V
I
V
V
V
V
=-2V,V =0V  
DS  
GSS  
Gate to source leakage current  
Saturated drain current  
GS  
GS  
DS  
DS  
--  
50  
I
=0V,V =2V  
DS  
DSS  
30  
--  
150  
-1.5  
--  
V
=2V,I =390A  
GS(off) Gate to source cut-off voltage  
D
-0.2  
--  
--  
=2V,  
Gs  
Associated gain  
18  
dB  
dB  
dB  
dB  
I =10mA, f=2.4GHz  
NFmin.  
Gs  
Minimum noise figure  
Associated gain  
D
--  
0.35  
13  
--  
V
=2V,  
DS  
11.5  
--  
--  
I =15mA, f=4GHz  
NFmin.  
Minimum noise figure  
D
0.35  
0.55  
Note 1: Gs and NFmin. @2.4GHz are not tested.  
Note 2: Gs and NFmin. @4GHz are tested with sampling inspection.  
Publication Date : Oct., 2011  
1
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