5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 三菱 - MITSUBISHI |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 198K |  |
| 描述 | ||
| SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.06 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A | FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带： | K BAND | JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.05 W | 最小功率增益 (Gp)： | 9.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4919F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor |
|
| MGF4919F-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| MGF4919G | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
|
| MGF491XG | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
|
| MGF4921AM | MITSUBISHI |
获取价格 |
4pin flat lead package |
|
| MGF4931AM | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) |
|
| MGF4934AM | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) |
|
| MGF4934AM/BM | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, P-Channel, |
|
| MGF4934AM_07 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) |
|
| MGF4934AM_08 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
