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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MGF4934CM
MGF4934CM PDF预览

MGF4934CM

更新时间： 2024-09-17 11:02:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package)

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MGF4934CM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.71
配置：SINGLE最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.06 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：0.05 W最小功率增益 (Gp)：11.5 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

MGF4934CM 数据手册

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Apr./2008  
MITSUBISHI SEMICONDUTOR <GaAs FET>  
MGF4934CM  
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package)  
DESCRIPTION  
The MGF4934CM super-low noise HEMT (High Electron Mobility  
Transistor) is designed for use in S to Ku band amplifiers.  
The 4pin flat lead package is small-thin size, and offers high cost  
performance.  
Outline Drawing  
FEATURES  
Low noise figure  
@ f=12GHz  
NFmin. = 0.50dB (Typ.)  
Fig.1  
High associated gain  
Gs = 13.0dB (Typ.)  
@ f=12GHz  
MITSUBISHI Proprietary  
Not to be reproduced or disclosed  
without permission by Mitsubishi Electric  
APPLICATION  
S to Ku band low noise amplifiers  
QUALITY GRADE  
GG  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
VDS=2V , ID=10mA  
ORDERING INFORMATION  
Tape & reel 3000pcs/reel  
Keep Safety first in your circuit designs!  
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into making  
semiconductor products better and more reliable , but there is always the  
possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors  
may lead to personal injury , fire or property damage. Remember to give due  
consideration to safety when making your circuit designs , with appropriate  
measure such as (I) placement of substitutive , auxiliary circuits , (ii) use of  
non-flammable material or (iii) prevention against any malfunction or mishap.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25°C )  
Symbol  
VGDO  
VGSO  
ID  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Ratings  
Unit  
V
-3  
-3  
V
IDSS  
50  
mA  
mW  
°C  
PT  
Tch  
Tstg  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
125  
-55 to +125  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Ta=25°C )  
Test conditions  
Symbol  
Parameter  
Limits  
TYP.  
--  
Unit  
MIN.  
-3.5  
--  
MAX  
--  
V(BR)GDO  
IGSS  
IG=-10µA  
Gate to drain breakdown voltage  
Gate to source leakage current  
Saturated drain current  
V
µA  
mA  
V
VGS=-2V,VDS=0V  
VGS=0V,VDS=2V  
VDS=2V,ID=500µA  
--  
50  
IDSS  
12  
--  
60  
VGS(off)  
Gs  
Gate to source cut-off voltage  
Associated gain  
-0.1  
11.5  
--  
--  
-1.5  
--  
V
=2V,  
DS  
13.0  
0.50  
dB  
dB  
ID=10mA,f=12GHz  
NFmin.  
Minimum noise figure  
0.75  
MITSUBISHI  
(1/5)  
12345

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