5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 116K |  |
| 描述 | ||
| SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.06 A |
| FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.05 W | 最小功率增益 (Gp)： | 11.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4935AM | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (4pin flat lead package) |
|
| MGF4936AM | MITSUBISHI |
获取价格 |
Low Noise GaAs HEMT |
|
| MGF4938AM | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| MGF4941AL | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
|
| MGF4941AL_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Micro-X type plastic package |
|
| MGF4941CL | MITSUBISHI |
获取价格 |
Micro-X type plastic package |
|
| MGF4951 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
|
| MGF4951A | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
|
| MGF4951A_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
|
| MGF4952A | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
