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MGF4916G

更新时间： 2024-09-17 04:16:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 22K
描述
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

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MGF4916G 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：MICROWAVE, X-XXMW-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.79
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.06 A最大漏极电流 (ID)：0.06 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：X-XXMW-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：MICROWAVE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.05 W
最小功率增益 (Gp)：12 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：UNSPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

MGF4916G 数据手册

 浏览型号MGF4916G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MGF4916G的Datasheet PDF文件第3页 
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET  
MGF491xG Series  
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT  
DESCRIPTION  
The MGF491xG series super-low-noise HEMT(High Electron  
OUTLINE DRAWING  
Unit:millimeters  
Mobility Transistor) is designed for use in L to Ku band amplifiers.  
The hermetically sealed metal-ceramic package assures  
minimumu parasitic losses, and has a configuration suitable for  
microstrip circuits.  
4.0±0.2  
1.85±0.2  
1
The MGF491*G series is mounted in the super 12 tape.  
0.5±0.15  
FEATURES  
• Low noise figure  
2
2
@f=12GHz  
MGF4916G:NFmin.=0.80dB(MAX.)  
MGF4919G:NFmin.=0.50dB(MAX.)  
• High associated gain @f=12GHz  
Gs=12.0dB(MIN.)  
0.5±0.15  
3
ø1.8±0.2  
APPLICATION  
L to Ku band low noise amplifiers.  
QUALITY GRADE  
• GG  
1
2
3
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
• VDS=2V,ID=10mA  
• Refer to Bias Procedure  
GD-16  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25˚C)  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
V
V
VGDO  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
-4  
-4  
60  
VGSO  
ID  
mA  
mW  
˚C  
PT  
50  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
Tstg  
125  
-65 to +125  
˚C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25˚C)  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min  
-3  
Typ  
–
Max  
–
IG=-10µA  
V(BR)GDO Gate to drain breakdown voltage  
V
µA  
mA  
V
50  
Gate to source leakage current  
IGSS  
–
15  
–
–
VGS=-2V,VDS=0V  
VGS=0V,VDS=2V  
VDS=2V,ID=500µA  
VDS=2V,ID=10mA  
60  
-1.5  
–
IDSS  
VGs(off)  
gm  
Saturated drain current  
Gate to source cut-off voltage  
–
-0.1  
–
75  
13.5  
mS  
dB  
Transconductance  
Associated gain  
12.0  
–
GS  
VDS=2V,ID=10mA  
f=12GHz  
MGF4916G  
MGF4919G  
0.80  
0.50  
–
–
–
–
dB  
dB  
NFmin.  
Minimum noise figure  
Nov. ´97  
123

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