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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MGF4714AP
MGF4714AP PDF预览

MGF4714AP

更新时间： 2024-09-17 13:11:27
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 21K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, PLASTIC, GD-18, 4 PIN

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MGF4714AP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, S-PXSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.06 A
最大漏极电流 (ID)：0.06 AFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：K BANDJESD-30 代码：S-PXSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.05 W最小功率增益 (Gp)：8 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：UNSPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MGF4714AP 数据手册

 浏览型号MGF4714AP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MGF4714AP的Datasheet PDF文件第3页 
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET  
MGF4714CP  
PLASTIC MOLD PACKAGED LOW NOISE InGaAs HEMT  
DESCRIPTION  
Unit:millimeters  
OUTLINE DRAWING  
The MGF4714CP low-noise HEMT(High Electron Mobility  
Transistor) is designed for use in L to Ku band amplifiers.  
The plastic mold package offer high cost performance, and has a  
configuration suitable for microstrip circuits.  
(0.6)  
1
2
The MGF4714CP is mounted in Super 12 tape.  
FEATURES  
• Low noise figure  
2
(ø1.2)  
NFmin.=1.00dB(MAX.) @f=12GHz  
• High associated gain  
3
0.5±0.1  
Gs=11.0dB(MIN.)  
@f=12GHz  
APPLICATION  
L to Ku band low noise amplifiers.  
2.2±0.2  
(8˚)  
(R0.1) (R0.1)  
4.0±0.3  
QUALITY GRADE  
• GG  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
• VDS=2V,ID=10mA  
• Refer to Bias Procedure  
1
2
3
Gate  
Source  
Drain  
GD-22  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25˚C)  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
V
V
VGDO  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
-4  
-4  
60  
VGSO  
ID  
mA  
mW  
˚C  
PT  
50  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
Tstg  
125  
-65 to +125  
˚C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25˚C)  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min  
-3  
Typ  
–
Max  
–
V
µA  
mA  
V
IG=-10µA  
V(BR)GDO Gate to drain breakdown voltage  
50  
Gate to source leakage current  
–
15  
-0.1  
–
–
–
VGS=-2V,VDS=0V  
VGS=0V,VDS=2V  
VDS=2V,ID=500µA  
VDS=2V,ID=10mA  
IGSS  
60  
-1.5  
–
IDSS  
VGS(off)  
gm  
Saturated drain current  
Gate to source cut-off voltage  
–
55  
–
mS  
dB  
dB  
Transconductance  
Associated gain  
11.0  
–
–
GS  
NFmin.  
VDS=2V,ID=10mA  
f=12GHz  
Minimum noise figure  
–
1.00  
Nov. ´97  
123

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与MGF4714AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGF4714AP-65 MITSUBISHI

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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
MGF4714CP MITSUBISHI

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 		PLASTIC MOLD PACKAGED LOW NOISE InGaAs HEMT
MGF4851A MITSUBISHI

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 		SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package)
MGF4910D MITSUBISHI

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MGF4914D-65 MITSUBISHI

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MGF4914E-01 MITSUBISHI

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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H

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