5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MGF4851A
MGF4851A PDF预览

MGF4851A

更新时间： 2024-11-07 04:16:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 137K
描述
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package)

阅读下载

中文翻译

获取价格

MGF4851A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.82Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.12 AFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：K BANDJESD-30 代码：S-CQCC-N4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.1 W最小功率增益 (Gp)：9 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MGF4851A 数据手册

 浏览型号MGF4851A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MGF4851A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MGF4851A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MGF4851A的Datasheet PDF文件第5页 
June/2004  
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>  
MGF4851A  
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package)  
DESCRIPTION  
The MGF4851A HEMT (High Electron Mobility Transistor) is  
designed for use in S to K band amplifiers and oscillators.  
Outline Drawing  
The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.  
FEATURES  
High gain and High P1dB  
Glp=11dB , P1dB=14.5dBm (Typ.) @ f=12GHz  
Fig.1  
APPLICATION  
S to K band power Amplifiers  
QUALITY GRADE  
GG  
ORDERING INFORMATION  
Tape & reel 3000pcs./reel  
Keep Safety first in your circuit designs!  
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum  
effort into making semiconductor products better  
and more reliable , but there is always the  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25°C )  
possibility that trouble may occur with them.  
Trouble with semiconductors may lead to personal  
injury , fire or property damage. Remember to give  
due consideration to safety when making your  
circuit designs , with appropriate measure such  
as (I) placement of substitutive , auxiliary circuits ,  
(ii) use of non-flammable material or (iii) prevention  
against any malfunction or mishap.  
Symbol  
VGDO  
VGSO  
ID  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Ratings  
-5  
Unit  
V
-5  
V
IDSS  
100  
mA  
mW  
°C  
PT  
Tch  
Tstg  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
125  
-65~125  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Ta=25°C )  
Test conditions  
Synbol  
Parameter  
Limits  
TYP.  
-8  
Unit  
MIN.  
-5  
MAX  
--  
V(BR)GDO  
IDSS  
Gate to drain breakdown voltage  
Saturated drain current  
Gate to source cut-off voltage  
Output Power at 1dB gain  
Compression  
Ig=-10µA  
V
mA  
V
VGS=0V,VDS=2.5V  
35  
60  
120  
-2.0  
--  
VGS(off)  
VDS=2.5V,ID=500µA  
-0.1  
12  
-0.8  
14.5  
V
=2.5V,ID=25mA  
P1dB  
DS  
f=12GHz  
=2.5V,ID=25mA  
dBm  
V
DS  
Glp  
Linear Power Gain  
9
11  
--  
dB  
f=12GHz,Pin=-5dBm  
MITSUBISHI  
June/2004  
(1/5)  
12345

中文翻译

下载PDF

与MGF4851A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGF4910D MITSUBISHI

获取价格

 		TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT
MGF4910E MITSUBISHI

获取价格

 		SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT
MGF4914D MITSUBISHI

获取价格

 		TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT
MGF4914D-65 MITSUBISHI

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
MGF4914E MITSUBISHI

获取价格

 		SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT
MGF4914E-01 MITSUBISHI

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
MGF4914E-65 MITSUBISHI

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
MGF4916 MITSUBISHI

获取价格

 		SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
MGF4916D MITSUBISHI

获取价格

 		TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT
MGF4916D-01 MITSUBISHI

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H

与MGF4851A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证