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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SSOP | 包装说明： | SSOP, SSOP90,.63,20 |
| 针数： | 90 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.8 | 最长访问时间： | 80 ns |
| 备用内存宽度： | 16 | 启动块： | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PDSO-G90 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 23.7 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 16,254 | 端子数量： | 90 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SSOP |
| 封装等效代码： | SSOP90,.63,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | 页面大小： | 4/8 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.9 mm | 部门规模： | 8K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.1 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 13.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29XL12DF80PFV-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX32, 80ns, PDSO90, PLASTIC, SSOP-90 |
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| MBM300A6 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM300GR12 | RENESAS |
获取价格 |
IGBT |
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| MBM300GR12A | RENESAS |
获取价格 |
300A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM300GR12A | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MBM300GR6 | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| MBM300GR6 | RENESAS |
获取价格 |
300A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
|
| MBM300GS12AW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| MBM300GS12AW | RENESAS |
获取价格 |
IGBT |
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| MBM300GS6AW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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