5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MBM30LV0128-PFTR
MBM30LV0128-PFTR PDF预览

MBM30LV0128-PFTR

更新时间： 2024-11-19 20:33:47
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 384K
描述
Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

MBM30LV0128-PFTR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.72最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：2端子数量：48
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

MBM30LV0128-PFTR 数据手册

 浏览型号MBM30LV0128-PFTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM30LV0128-PFTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM30LV0128-PFTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM30LV0128-PFTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM30LV0128-PFTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM30LV0128-PFTR的Datasheet PDF文件第7页 
FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20885-1E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
128 M (16 M × 8) BIT NAND-type  
MBM30LV0128  
■ DESCRIPTION  
The MBM30LV0128 device is a single 3.3 V 16 M × 8 bit NAND flash memory organized as 528 byte × 32 pages  
× 1024 blocks. Each 528 byte page contains 16 bytes of optionally selected spare area which may be used to  
store ECC code (Specifications indicated are on condition that ECC system would be combined) . Program and  
read data is transferred between the memory array and page register in 528 byte increments. A 528 byte page  
can be programmed in 200 µs and an 16 K byte block can be erased in 2 ms under typical conditions. An internal  
controller automates all programs and erases operations including the verification of data margins. Data within a  
page can be read with a 50 ns cycle time per byte. The I/O pins are utilized for both address and data input/output  
as well as command inputs. The MBM30LV0128 is an ideal solution for applications requiring mass non-volatile  
storage such as solid state file storage, digital recording, image file memory for still cameras, and other uses  
which require high density and non-volatile storage.  
■ PRODUCT LINE UP  
Part No.  
MBM30LV0128  
−40 °C to +85 °C  
+2.7 V to +3.6 V  
72 mW  
Operating Temperature  
VCC  
Read  
Erase / Program  
72 mW  
Power Dissipation (Max.)  
TTL Standby  
3.6 mW  
CMOS Standby  
0.18 mW  
1234567...41

中文翻译

下载PDF

与MBM30LV0128-PFTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM400E25E HITACHI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
MBM400GR6 RENESAS

获取价格

 		400A, 600V, N-CHANNEL IGBT
MBM400GR6 HITACHI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MBM400GS6AW RENESAS

获取价格

 		IGBT
MBM400GS6AW HITACHI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES
MBM400JS6AW HITACHI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES
MBM50A6 HITACHI

获取价格

 		IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES
MBM50F12 HITACHI

获取价格

 		IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES
MBM600E17E HITACHI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES
MBM600F17D HITACHI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES

与MBM30LV0128-PFTR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证