5秒后页面跳转
MBM300GS12AW PDF预览

MBM300GS12AW

更新时间: 2024-11-19 15:40:55
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI
页数 文件大小 规格书
5页 343K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES

MBM300GS12AW 数据手册

 浏览型号MBM300GS12AW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM300GS12AW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM300GS12AW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM300GS12AW的Datasheet PDF文件第5页 
Date:Mar.2002  
Status List  
M:Mass production A:Abolition  
GR - A Series (Advanced GR Series)  
KS02007  
Absolute Maximum Ratings  
Characteristics  
Outline  
Connection  
Type  
Status  
CES  
C
I
C
CE(sat)  
V
on  
t
off  
t
f
t
V
P
(V)  
(A)  
1,200  
600  
400  
300  
200  
150  
100  
(W)  
8,330  
3,790  
2,500  
1,980  
1,250  
1,000  
690  
(V)Typ.  
2.4  
( s)Max. ( s)Max. ( s)Max.  
µ µ µ  
MBN1200GR12A  
MBN600GR12A  
MBN400GR12A  
MBM300GR12A  
MBM200GR12A  
MBM150GR12A  
MBM100GR12A  
1,200  
1,200  
1,200  
1,200  
1,200  
1,200  
1,200  
2.1  
0.8  
0.7  
0.7  
0.6  
0.6  
0.6  
1.8  
1.2  
1.1  
1.1  
1.0  
1.0  
1.0  
0.4  
0.35  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
N - 7  
N - 6  
N - 5  
M - 9  
M - 8  
M - 8  
M - 8  
M
M
M
M
M
M
M
Single  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
Dual  
2.2  
2.2  
GR Series  
Absolute Maximum Ratings  
Characteristics  
Connection  
Type  
Outline  
Status  
CES  
V
C
I
C
CE(sat)  
V
on  
t
off  
t
f
t
P
(V)  
(A)  
(W)  
1,170  
930  
(V)Typ.  
2.1  
( s)Max. ( s)Max. ( s)Max.  
µ µ µ  
MBM400GR6  
MBM300GR6  
MBM200GR6  
MBM150GR6  
600  
600  
600  
600  
400  
300  
200  
150  
0.7  
0.7  
0.7  
0.7  
1.1  
1.0  
0.8  
0.8  
0.32  
0.32  
0.3  
M - 3  
M - 8  
M - 8  
M - 8  
M
M
M
M
2.1  
Dual  
690  
2.1  
520  
2.1  
0.3  
GS Series  
Absolute Maximum Ratings  
Characteristics  
Connection  
Type  
Outline  
Status  
CES  
V
C
I
C
CE(sat)  
V
on  
t
off  
t
f
t
P
(V)  
(A)  
(W)  
1,700  
1,000  
1,470  
800  
(V)Typ.  
1.9  
( s)Max. ( s)Max. ( s)Max.  
µ µ µ  
Dual  
MBM600GS6CW  
MBM400GS6AW  
MBM400JS6AW  
MBM300GS6AW  
MBM200GS6AW  
MBM150GS6AW  
MBB200GS6AW  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
400  
400  
300  
200  
150  
200  
0.8  
0.7  
0.7  
0.7  
0.6  
0.6  
0.6  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
0.9  
0.9  
0.9  
0.4  
M - 7  
M - 1  
M - 3  
M - 1  
M - 6  
M - 6  
B - 1  
M
M
M
M
M
M
M
1.9  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
1.9  
1.9  
600  
1.9  
450  
1.9  
Six - Pack  
600  
1.9  
1

与MBM300GS12AW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM300GS6AW HITACHI

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MBM300GS6AW RENESAS

获取价格

300A, 600V, N-CHANNEL IGBT
MBM30LV0032 FUJITSU

获取价格

32M (4M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0032-PFTN FUJITSU

获取价格

32M (4M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0032-PFTR FUJITSU

获取价格

32M (4M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0064 FUJITSU

获取价格

64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0064-PBT FUJITSU

获取价格

Flash, 8MX8, 35ns, PBGA52, PLASTIC, FBGA-52
MBM30LV0064-PFTN FUJITSU

获取价格

64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0064-PFTR FUJITSU

获取价格

64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128 FUJITSU

获取价格

128 M (16 M X 8) BIT NAND-type