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MBM30LV0128-PFTN-E1

更新时间： 2024-11-19 14:53:07
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 384K
描述
Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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MBM30LV0128-PFTN-E1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.69最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：2端子数量：48
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

MBM30LV0128-PFTN-E1 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20885-1E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
128 M (16 M × 8) BIT NAND-type  
MBM30LV0128  
■ DESCRIPTION  
The MBM30LV0128 device is a single 3.3 V 16 M × 8 bit NAND flash memory organized as 528 byte × 32 pages  
× 1024 blocks. Each 528 byte page contains 16 bytes of optionally selected spare area which may be used to  
store ECC code (Specifications indicated are on condition that ECC system would be combined) . Program and  
read data is transferred between the memory array and page register in 528 byte increments. A 528 byte page  
can be programmed in 200 µs and an 16 K byte block can be erased in 2 ms under typical conditions. An internal  
controller automates all programs and erases operations including the verification of data margins. Data within a  
page can be read with a 50 ns cycle time per byte. The I/O pins are utilized for both address and data input/output  
as well as command inputs. The MBM30LV0128 is an ideal solution for applications requiring mass non-volatile  
storage such as solid state file storage, digital recording, image file memory for still cameras, and other uses  
which require high density and non-volatile storage.  
■ PRODUCT LINE UP  
Part No.  
MBM30LV0128  
−40 °C to +85 °C  
+2.7 V to +3.6 V  
72 mW  
Operating Temperature  
VCC  
Read  
Erase / Program  
72 mW  
Power Dissipation (Max.)  
TTL Standby  
3.6 mW  
CMOS Standby  
0.18 mW  
1234567...41

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与MBM30LV0128-PFTN-E1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM30LV0128-PFTR FUJITSU

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 		128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTR SPANSION

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 		Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM400E25E HITACHI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
MBM400GR6 RENESAS

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 		400A, 600V, N-CHANNEL IGBT
MBM400GR6 HITACHI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
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