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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 300 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 1700 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 3.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM300GS6AW | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MBM300GS6AW | RENESAS |
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300A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM30LV0032 | FUJITSU |
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32M (4M X 8) BIT NAND-type |
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| MBM30LV0032-PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
32M (4M X 8) BIT NAND-type |
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| MBM30LV0032-PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
32M (4M X 8) BIT NAND-type |
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| MBM30LV0064 | FUJITSU |
获取价格 |
64M (8M X 8) BIT NAND-type |
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| MBM30LV0064-PBT | FUJITSU |
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Flash, 8MX8, 35ns, PBGA52, PLASTIC, FBGA-52 |
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| MBM30LV0064-PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
64M (8M X 8) BIT NAND-type |
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| MBM30LV0064-PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
64M (8M X 8) BIT NAND-type |
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| MBM30LV0128 | FUJITSU |
获取价格 |
128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
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