Datasheet > MBM300GS6AW

MBM300GS6AW

更新时间： 2024-11-19 21:11:39

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网栅双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
4页	113K
描述
300A, 600V, N-CHANNEL IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBM300GS6AW 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
其他特性：	HIGH SPEED, LOW NOISE	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	300 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	350 ns
Base Number Matches：	1

MBM300GS6AW 数据手册

IGBT MODULE

MBM300GS6AW

Silicon N-channel IGBT

OUTLINE DRAWING

Unit in mm

4-Fast-on

Terminal

#110

FEATURES

3-M5

2-φ5.6

* High speed and low saturation voltage.

* low noise due to built-in free-wheeling

diode - ultra soft fast recovery diode(USFD).

* Isolated head sink (terminal to base).

C2E1

39.5

φ0.8

C2E1

TERMINALS

Weight: 265 (g)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C )

Item

Symbol

V_CES

Unit

MBM300GS6AW

600

Collector Emitter Voltage

Gate Emitter Voltage

Collector Current

V_GES

I_C

I_Cp

I_F

I_FM

T_j

T_stg

V_ISO

300

600

300

600

800

1ms

Forward Current

(1)

1ms

Collector Power Dissipation

J unction Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

-40 ~ +150

-40 ~ +125

2,500(AC 1 minute)

1.96(20)

V_RMS

Screw Torque

Terminals

Mounting

(2)

(3)

N.m

(kgf.cm)

Notes:(1)RMS Current of Diode 90Arms max.

(2)(3)Recommended Value 1.67N.m(17kgf.cm)

CHARACTERISTICS (Tc=25 C )

Item

Symbol Unit Min. Typ. Max.

Test Conditions

1.0 V_CE=600V,V_GE=0V

500 V_GE= 20V,V_CE=0V

Collector Emitter Cut-Off Current

I _CES

Gate Emitter Leakage Current

I_GES

Collector Emitter Saturation Voltage

Gate Emitter Threshold Voltage

Input Capacitance

V_CE(sat)

V_GE(TO)

C_ies

t_r

t_on

t_f

1.9

15,000

0.25

0.35

0.25

2.5 I_C=300A,V_GE=15V

10 V_CE=5V, I_C=300mA

V_CE=10V,V_GE=0V,f=1MHz

Rise Time

0.5 V_CC=300V

Turn On Time

0.7 R =1.0

Switching Times

Fall Time

0.35 R =8.2

(4)

Turn Off Time

Peak Forward Voltage Drop

t_off

V_FM

0.8

2.2

1.1 V_GE= 15V

3.0 I_F=300A,V_GE=0V

Reverse Recovery Time

Thermal Impedance IGBT

FWD

t_rr

Rth(j-c)

0.3 I_F=300A,V_GE=-10V, di/dt=300A/ s

C/W

0.156

0.28

J unction to case

Notes:(4) R_Gvalue is the test condition’s value for decision of the switching times, not recommended value.

Determine the suitable R_Gvalue after the measurement of switching waveforms

(overshoot voltage,etc.)with appliance mounted.

PDE-M300GS6AW-0

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与MBM300GS6AW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM30LV0032	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0032-PFTN	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0032-PFTR	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0064	FUJITSU	获取价格	64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0064-PBT	FUJITSU	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA52, PLASTIC, FBGA-52
MBM30LV0064-PFTN	FUJITSU	获取价格	64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0064-PFTR	FUJITSU	获取价格	64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTN	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

与MBM300GS6AW相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM300GS6AW

MBM300GS6AW 技术参数

MBM300GS6AW 数据手册

与MBM300GS6AW相关器件

与MBM300GS6AW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM300GS6AW

MBM300GS6AW 技术参数

MBM300GS6AW 数据手册

与MBM300GS6AW相关器件

与MBM300GS6AW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？