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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM300GR12 | RENESAS |
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IGBT |
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| MBM300GR12A | RENESAS |
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300A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM300GR12A | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MBM300GR6 | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MBM300GR6 | RENESAS |
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300A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM300GS12AW | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| MBM300GS12AW | RENESAS |
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IGBT |
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| MBM300GS6AW | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MBM300GS6AW | RENESAS |
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300A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM30LV0032 | FUJITSU |
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32M (4M X 8) BIT NAND-type |
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