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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.21 | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM400JS6AW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES |
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| MBM50A6 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM50F12 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM600E17E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES |
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| MBM600F17D | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES |
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| MBM600GS6CW | RENESAS |
获取价格 |
IGBT |
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| MBM600GS6CW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES |
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| MBM75A6 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM75F12 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM75GS12AW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES |
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