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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM50F12 | HITACHI |
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IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM600E17E | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES |
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| MBM600F17D | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES |
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| MBM600GS6CW | RENESAS |
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IGBT |
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| MBM600GS6CW | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES |
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| MBM75A6 | HITACHI |
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IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM75F12 | HITACHI |
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IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM75GS12AW | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| MBM75GS12AW | RENESAS |
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IGBT |
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| MBMK2520H1R0M | TAIYO YUDEN |
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Metal Wire-wound Chip Power Inductors (MCOIL, MB series H (High Spec.) type) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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