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MBM30LV0064-PFTR

更新时间： 2024-11-18 22:16:31

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
43页	384K
描述
64M (8M X 8) BIT NAND-type

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MBM30LV0064-PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	0.80 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	7000 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1K	端子数量：	40
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3,3/5 V	编程电压：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MBM30LV0064-PFTR 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20878-3E

FLASH MEMORY

CMOS

64M (8M × 8) BIT NAND-type

MBM30LV0064

■ DESCRIPTION

The MBM30LV0064 device is a single 3.3 V 8M × 8 bit NAND flash memory organized as 528 byte × 16 pages

× 1024 blocks. Each 528 byte page contains 16 bytes of optionally selected spare area which may be used to

store ECC code(Specifications indecated are on condition that ECC system would be combined.). Program and

read data is transferred between the memory array and page register in 528 byte increments. A 528 byte page

can be programmed in 200 µs and an 8K byte block can be erased in 2 ms under typical conditions. An internal

controller automates all program and erase operations including the verification of data margins. Data within a

page can be read with a 50 ns cycle time per byte. The I/O pins are utilized for both address and data input/

output as well as command inputs. The MBM30LV0064 is an ideal solution for applications requiring mass non-

volatile storage such as solid state file storage, digital recording, image file memory for still cameras, and other

uses which require high density and non-volatile storage.

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

MBM30LV0064

–40°C to +85°C

+2.7 V to +3.6 V

72 mW

Operating Temperature

V^CC

Read

Erase / Program

TTL Standby

CMOS Standby

72 mW

Power Dissipation (Max.)

3.6 mW

0.18 mW

■ PACKAGES

44-pin plastic TSOP (II)

Marking Side

(FPT-44P-M08)

(Reverse Bend)

(FPT-44P-M07)

(Normal Bend)

12 3 4 5 6 7...43

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与MBM30LV0064-PFTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM30LV0128	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTN	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
MBM30LV0128-PFTR	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTR	SPANSION	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM400E25E	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
MBM400GR6	RENESAS	获取价格	400A, 600V, N-CHANNEL IGBT
MBM400GR6	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MBM400GS6AW	RENESAS	获取价格	IGBT
MBM400GS6AW	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES

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