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MBM30LV0064-PFTN

更新时间： 2024-11-18 22:16:31

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富士通 - FUJITSU		/
页数	文件大小	规格书
43页	384K
描述
64M (8M X 8) BIT NAND-type

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MBM30LV0064-PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最长访问时间：	7000 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	40	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3,3/5 V
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MBM30LV0064-PFTN 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20878-3E

FLASH MEMORY

CMOS

64M (8M × 8) BIT NAND-type

MBM30LV0064

■ DESCRIPTION

The MBM30LV0064 device is a single 3.3 V 8M × 8 bit NAND flash memory organized as 528 byte × 16 pages

× 1024 blocks. Each 528 byte page contains 16 bytes of optionally selected spare area which may be used to

store ECC code(Specifications indecated are on condition that ECC system would be combined.). Program and

read data is transferred between the memory array and page register in 528 byte increments. A 528 byte page

can be programmed in 200 µs and an 8K byte block can be erased in 2 ms under typical conditions. An internal

controller automates all program and erase operations including the verification of data margins. Data within a

page can be read with a 50 ns cycle time per byte. The I/O pins are utilized for both address and data input/

output as well as command inputs. The MBM30LV0064 is an ideal solution for applications requiring mass non-

volatile storage such as solid state file storage, digital recording, image file memory for still cameras, and other

uses which require high density and non-volatile storage.

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

MBM30LV0064

–40°C to +85°C

+2.7 V to +3.6 V

72 mW

Operating Temperature

V^CC

Read

Erase / Program

TTL Standby

CMOS Standby

72 mW

Power Dissipation (Max.)

3.6 mW

0.18 mW

■ PACKAGES

44-pin plastic TSOP (II)

Marking Side

(FPT-44P-M08)

(Reverse Bend)

(FPT-44P-M07)

(Normal Bend)

12 3 4 5 6 7...43

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与MBM30LV0064-PFTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM30LV0064-PFTR	FUJITSU	获取价格	64M (8M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTN	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
MBM30LV0128-PFTR	FUJITSU	获取价格	128 M (16 M X 8) BIT NAND-type
MBM30LV0128-PFTR	SPANSION	获取价格	Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM400E25E	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
MBM400GR6	RENESAS	获取价格	400A, 600V, N-CHANNEL IGBT
MBM400GR6	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MBM400GS6AW	RENESAS	获取价格	IGBT

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