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MBM400GS6AW

更新时间： 2024-11-23 20:01:15
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 局域网栅
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES

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MBM400GS6AW 数据手册

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IGBT MODULE  
MBM400GS6AW  
Silicon N-channel IGBT  
OUTLINE DRAWING  
Unit in mm  
4-Fast-on  
Terminal  
#110  
94  
80  
FEATURES  
3-M5  
16  
16  
16  
G2  
E2  
2-φ5.6  
E2  
C1  
* High speed and low saturation voltage.  
* low noise due to built-in free-wheeling  
diode - ultra soft fast recovery diode(USFD).  
* Isolated head sink (terminal to base).  
E1  
G1  
C2E1  
23  
23  
39.5  
φ0.8  
G2  
E2  
C2E1  
E2  
C1  
E1  
G1  
TERMINALS  
Weight: 265 (g)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C )  
°
Item  
Symbol  
VCES  
Unit  
V
MBM400GS6AW  
600  
Collector Emitter Voltage  
Gate Emitter Voltage  
Collector Current  
VGES  
IC  
ICp  
IF  
IFM  
Pc  
Tj  
Tstg  
VISO  
-
V
20  
±
400  
800  
400  
800  
1,000  
DC  
1ms  
DC  
A
Forward Current  
(1)  
A
1ms  
Collector Power Dissipation  
J unction Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
W
C
C
-40 ~ +150  
-40 ~ +125  
2,500(AC 1 minute)  
1.96(20)  
1.96(20)  
°
°
VRMS  
Screw Torque  
Terminals  
Mounting  
(2)  
(3)  
N.m  
(kgf.cm)  
-
Notes:(1)RMS Current of Diode 120Arms max.  
(2)(3)Recommended Value 1.67N.m(17kgf.cm)  
CHARACTERISTICS (Tc=25 C )  
°
Item  
Symbol Unit Min. Typ. Max.  
Test Conditions  
1.0 VCE=600V,VGE=0V  
500 VGE= 20V,VCE=0V  
Collector Emitter Cut-Off Current  
I CES  
mA  
-
-
Gate Emitter Leakage Current  
IGES  
nA  
-
-
±
±
Collector Emitter Saturation Voltage  
Gate Emitter Threshold Voltage  
Input Capacitance  
VCE(sat)  
VGE(TO)  
Cies  
tr  
ton  
tf  
V
V
pF  
-
-
-
-
-
-
1.9  
-
20,000  
0.25  
0.35  
0.25  
2.5 IC=400A,VGE=15V  
10 VCE=5V, IC =400mA  
-
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz  
0.5 VCC=300V  
0.7 R =0.75  
Rise Time  
s
m
Turn On Time  
W
W
L
Switching Times  
Fall Time  
0.35 R =6.2  
(4)  
G
Turn Off Time  
Peak Forward Voltage Drop  
toff  
VFM  
-
-
0.8  
2.2  
1.1 VGE= 15V  
3.0 IF=400A,VGE=0V  
±
V
Reverse Recovery Time  
Thermal Impedance IGBT  
FWD  
trr  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
s
-
-
-
-
-
-
0.3 IF=400A,VGE=-10V, di/dt=400A/ s  
m
m
C/W  
0.125  
0.25  
J unction to case  
°
Notes:(4) RG value is the test condition’s value for decision of the switching times, not recommended value.  
Determine the suitable RG value after the measurement of switching waveforms  
(overshoot voltage,etc.)with appliance mounted.  
PDE-M400GS6AW-0  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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