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MA3J7440G

更新时间： 2024-11-12 14:53:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	223K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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MA3J7440G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.003 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MA3J7440G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3J7440G

Silicon epitaxial planar type

For super high speed switching

For small current rectification

■ Features

■ Package

•

High-density mounting is possible

Forward current (Average) I_F(AV)= 200 mA rectification is possible

Code

SMini3-F2

Pin Name

1: Anode

2: N.C.

•

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

3: Cathode

Parameter

Reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

■ Marking Symbol: M1M

Repetitive peak reverse voltage

Forward current (Average)

Peak forward current

V_RRM

I_F(AV)

I_FM

200

300

■ Internal Connection

Non-repetitive peak forward

surge current ^*

I_FSM

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : t = 1 s

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

I_F= 200 mA

V_R= 30 V

Min

Typ

Max

0.55

Unit

V_F

I_R

Reverse current

µA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

C_t

t_rr

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= I_R= 100 mA

3.0

I_rr= 0.1 I_R, R_L= 100 Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz.

4. : t_rrmeasurement circuit

Bias Application Unit (N-50BU)

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 0.1 I_R

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 100 mA

I_R= 100 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Publication date: October 2007

SKH00198BED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA3J745	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3J745(MA745)	ETC	获取价格	Small-signal device - Diodes - Schottky Barrier Diodes(SBD)
MA3J745D	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3J745DG	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
MA3J745E	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3JP02F	PANASONIC	获取价格	Pin Diode, Silicon, SC-79, 3 PIN
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