5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KTD1824
KTD1824 PDF预览

KTD1824

更新时间： 2024-11-19 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION)

阅读下载

中文翻译

获取价格

KTD1824 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

KTD1824 数据手册

 浏览型号KTD1824的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTD1824的Datasheet PDF文件第3页 
SEMICONDUCTOR  
KTD1824  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION.  
FEATURES  
E
ᴌHigh foward current transfer ratio hFE.  
ᴌLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
M
B
M
DIM MILLIMETERS  
.
_
A
+
2.00 0.20  
D
2
1
ᴌHigh emitter to base voltage VEBO  
.
_
+
B
C
D
E
1.25 0.15  
_
0.90+0.10  
ᴌLow noise voltage NV.  
3
0.3+0.10/-0.05  
_
+
ᴌUSM type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
2.10 0.20  
G
H
0.65  
0.15+0.1/-0.06  
J
K
L
1.30  
0.00-0.10  
0.70  
H
_
+
0.42 0.10  
M
N
0.10 MIN  
N
N
K
MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)  
1. EMITTER  
2. BASE  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
50  
UNIT  
V
3. COLLECTOR  
40  
V
15  
V
USM  
DC  
Pulse  
50  
Collector Current  
mA  
ICP  
100  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
100  
mW  
ᴱ
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
Marking  
Type Name  
h
Rank  
FE  
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
100  
1
UNIT  
nA  
ỌA  
V
VCB=20V, IE=0  
-
-
-
-
Collector Cut-off Current  
ICEO  
VCE=20V, IB=0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE (Note)  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
IC=10ỌA, IE=0  
50  
40  
15  
400  
-
IC=1mA, IB=0  
V
IE=10ỌA, IC=0  
V
VCE=10V, IC=2mA  
IC=10mA, IB=1mA  
VCB=10V, IE=-2mA, f=200MHz  
1000  
0.05  
120  
2000  
0.2  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
-
MHz  
Note : hFE Classification A:400~800, B:600~1200, C:1000~2000  
2001. 11. 29  
Revision No : 1  
1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与KTD1824相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTD1824_08 KEC

获取价格

 		USM PACKAGE
KTD1824E KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION)
KTD1854T KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTD1863 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
KTD1882 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING)
KTD1898 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
KTD1898 HTSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR (NPN)
KTD1898 SECOS

获取价格

 		1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor
KTD1898 WEITRON

获取价格

 		Epitaxial Planar NPN Transistors
KTD1898 TYSEMI

获取价格

 		Collector Power Dissipation: PC=500mW

与KTD1824相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证