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KTD1824 PDF预览

KTD1824

更新时间： 2024-02-10 09:01:16
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION)

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KTD1824 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

KTD1824 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTD1824  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION.  
FEATURES  
E
ᴌHigh foward current transfer ratio hFE.  
ᴌLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
M
B
M
DIM MILLIMETERS  
.
_
A
+
2.00 0.20  
D
2
1
ᴌHigh emitter to base voltage VEBO  
.
_
+
B
C
D
E
1.25 0.15  
_
0.90+0.10  
ᴌLow noise voltage NV.  
3
0.3+0.10/-0.05  
_
+
ᴌUSM type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
2.10 0.20  
G
H
0.65  
0.15+0.1/-0.06  
J
K
L
1.30  
0.00-0.10  
0.70  
H
_
+
0.42 0.10  
M
N
0.10 MIN  
N
N
K
MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)  
1. EMITTER  
2. BASE  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
50  
UNIT  
V
3. COLLECTOR  
40  
V
15  
V
USM  
DC  
Pulse  
50  
Collector Current  
mA  
ICP  
100  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
100  
mW  
ᴱ
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
Marking  
Type Name  
h
Rank  
FE  
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
100  
1
UNIT  
nA  
ỌA  
V
VCB=20V, IE=0  
-
-
-
-
Collector Cut-off Current  
ICEO  
VCE=20V, IB=0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE (Note)  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
IC=10ỌA, IE=0  
50  
40  
15  
400  
-
IC=1mA, IB=0  
V
IE=10ỌA, IC=0  
V
VCE=10V, IC=2mA  
IC=10mA, IB=1mA  
VCB=10V, IE=-2mA, f=200MHz  
1000  
0.05  
120  
2000  
0.2  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
-
MHz  
Note : hFE Classification A:400~800, B:600~1200, C:1000~2000  
2001. 11. 29  
Revision No : 1  
1/3  
123

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与KTD1824相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTD1824_08 KEC

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 		USM PACKAGE
KTD1824E KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION)
KTD1854T KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTD1863 KEC

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KTD1882 KEC

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 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING)
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 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
KTD1898 HTSEMI

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 		TRANSISTOR (NPN)
KTD1898 SECOS

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 		1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor
KTD1898 WEITRON

获取价格

 		Epitaxial Planar NPN Transistors
KTD1898 TYSEMI

获取价格

 		Collector Power Dissipation: PC=500mW

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