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KTD1882

更新时间: 2024-11-17 22:32:03
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KEC 晶体晶体管开关功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 72K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING)

KTD1882 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):90 MHzBase Number Matches:1

KTD1882 数据手册

 浏览型号KTD1882的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTD1882  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER  
LOW SPEED SWITCHING  
B
C
FEATURES  
Complementary to KTB1772.  
DIM MILLIMETERS  
N
A
B
C
D
E
4.70 MAX  
4.80 MAX  
3.70 MAX  
0.45  
1.00  
1.27  
E
K
D
G
MAXIMUM RATING (Ta=25)  
CHARACTERISTIC  
F
G
H
J
K
L
0.85  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
0.45  
_
H
14.00 +0.50  
Collector-Base Voltage  
40  
0.55 MAX  
2.30  
0.45 MAX  
1.00  
F
F
M
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
V
N
3
1
2
5
V
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
DC  
Collector Current  
Pulse (Note)  
3
7
A
ICP  
IB  
Base Current (DC)  
0.6  
A
mW  
TO-92  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
625  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55150  
Note : Pulse Width 10mS, Duty Cycle50%.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25)  
CHARACTERISTIC SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
-
MAX.  
UNIT  
A  
VCB=30V, IE=0  
VEB=3V, IC=0  
Collector Cut-off Current  
IEBO  
-
1
1
Emitter-Cut-off Current  
-
30  
100  
-
-
A  
hFE(1)  
VCE=2V, IC=20mA  
150  
160  
0.3  
1.0  
90  
-
DC Current Gain  
*
hFE(2) (Note) VCE=2V, IC=1A  
400  
0.5  
2.0  
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IC=2A, IB=0.2A  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Collector Output Capacitance  
*
*
V
V
IC=2V, IB=0.2A  
-
VCE=5V, IC=0.1A  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
-
MHz  
pF  
Cob  
-
45  
-
* Pulse Test : Pulse Width350S, Duty Cycle2% Pulsed  
Note: hFE(2) Classification O:100200 , Y:160320 , GR:200400  
2000. 12. 8  
Revision No : 0  
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