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KTD2017

更新时间： 2024-11-01 05:41:03

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描述
N-Channel Silicon MOSFET

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KTD2017 数据手册

SMD Type

ICIC

N-Channel Silicon MOSFET

KTD2017

TSSOP-8

Unit: mm

Features

Low ON resistance.

2.5V drive.

Mounting height 1.1mm

Composite type, facilitating high-density mounting.

5 : Gate2

1 : Drain1

6 : Source2

7 : Source2

8 : Drain2

2 : Source1

3 : Source1

4 : Gate1

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current(DC)

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

I^DP

Drain Current (pulse)

Allowable Power Dissipation

Total Dissipation

(PW 10ìs)

P^D

0.8

P^T

1.3

Channel Temperature

Storage Temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

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