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KTD2092

更新时间: 2024-05-23 22:23:40
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蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
6页 928K
描述
TO-220F

KTD2092 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220IS, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.77
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):150JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):140 MHzBase Number Matches:1

KTD2092 数据手册

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KTD2092  
Rev.F Mar.-2016  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.  

特征 / Features  
高放大,饱和压降低。  
High hFE, low saturation voltage.  

用途 / Applications  
用于开关、界面电路和驱动电路。  
Switching application, interface circuit and driver circuit application.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
1
2
3
PIN1Base  
PIN 2Collector  
PIN 3Emitter  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
见印章说明。See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
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