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KTD2424

更新时间: 2024-09-26 22:47:27
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1页 115K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLINGTON)

KTD2424 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220IS, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):25 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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