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KTD2066

更新时间: 2024-01-24 20:47:03
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KEC 晶体驱动器开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 386K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP SOLENOID DRIVER)

KTD2066 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220IS, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.75
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE):150
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):30 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzBase Number Matches:1

KTD2066 数据手册

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