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KTD2066_07

更新时间： 2024-02-10 14:51:42
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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTD2066_07 数据手册

 浏览型号KTD2066_07的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTD2066  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.  
LAMP SOLENOID DRIVER APPLICATION.  
A
C
DIM MILLIMETERS  
S
FEATURES  
_
10.0+0.3  
A
_
15.0+0.3  
B
C
E
High DC Current Gain  
_
2.70 0.3  
+
D
E
F
0.76+0.09/-0.05  
_
: hFE=500 1500(IC=1A).  
Low Collector Saturation Voltage  
: VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC=3A).  
3.2 0.2  
+
_
3.0+0.3  
_
12.0 0.3  
+
G
H
0.5+0.1/-0.05  
_
13.6 0.5  
+
J
K
L
L
R
_
3.7 0.2  
+
L
1.2+0.25/-0.1  
1.5+0.25/-0.1  
M
M
N
P
D
D
_
2.54+0.1  
_
6.8 0.1  
+
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
_
+
4.5 0.2  
Q
R
_
2.6+0.2  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
N
N
H
S
0.5 Typ  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
100  
80  
V
1. BASE  
3
2
1
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
7
V
DC  
Collector Current  
Pulse  
5
A
A
ICP  
8
TO-220IS  
IB  
Base Current  
1
2
Ta=25  
Tc=25  
Collector Power  
Dissipation  
PC  
W
EQUIVALENT CIRCUIT  
30  
Tj  
COLLECTOR  
EMITTER  
Junction Temperature  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
BASE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
VCB=80V, IE=0  
VEB=7V, IC=0  
-
-
10  
10  
-
A
A
Emitter Cut-off Current  
-
-
V(BR)CEO  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VECF  
IC=50mA, IB=0  
VCE=1V, IC=1A  
VCE=1V, IC=5A  
IC=3A, IB=0.03A  
IC=3A, IB=0.03A  
IE=3A, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80  
-
V
500  
-
1500  
-
DC Current Gain  
150  
-
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Forward Voltage  
Transition Frequency  
-
-
-
-
-
0.35  
1.2  
2.5  
-
V
V
-
-
V
fT  
VCE=5V, IC=1A  
VCE=10V, IE=0, f=1MHz  
130  
110  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
OUTPUT  
ton  
Tstg  
tf  
Turn-on Time  
-
-
-
0.6  
3.0  
0.8  
-
-
-
20 sec  
I
I
B1  
INPUT  
I
B1  
0
Storage Time  
Fall Time  
Switching Time  
S
B2  
I
B2  
I
=-I =10mA  
B2  
B1  
V
=30V  
CC  
DUTY CYCLE < 1%  
2007. 5. 22  
Revision No : 2  
1/2  
12

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