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KTD2058Y

更新时间： 2024-11-01 14:51:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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1页	1738K
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Transistor

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KTD2058Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

KTD2058Y 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TO-220F

KTD2058 TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

2.COLLECTOTR

3. EMITTER

FEATURES

. Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(SAT)= 1. 0V(MAX) .

MAXIMUM RATINGS* Ta=25℃ unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

℃

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55-150

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be

impaired.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Ic=100µA, I_E=0

Ic=50mA, I_B=0

I_E=100 µA, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

100

200

µA

I_EBO

V_EB=7V, I_C=0

DC current gain

h_FE(1)

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

V_CE=5V, I_C=0.5A

I_C=2A, I_B=0.2A

V_CE=5V, I_C=0.5A

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

MHz

Collector output capacitance

Turn-on Time

C_ob

t_on

0.65

1.3

0.65

Switching

Storage Time

t_stg

time

Fall Time

t_f

A,Sep,2011

Note: h_FE(1)Classification O : 60-120, Y : 100-200

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