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KTD2060

更新时间: 2024-10-31 22:40:27
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KEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 285K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)

KTD2060 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220IS, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.55外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8 MHz

KTD2060 数据手册

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