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KTD2058

更新时间: 2024-10-31 22:47:27
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KEC 晶体晶体管ISM频段局域网
页数 文件大小 规格书
2页 329K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)

KTD2058 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220ISM, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.63
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

KTD2058 数据手册

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