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KTD1898

更新时间： 2024-09-30 05:41:03

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Epitaxial Planar NPN Transistors

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KTD1898 数据手册

KTD1898

Epitaxial Planar NPN Transistors

SOT-89

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

(Ta=25 )

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Limits

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

100

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

Vdc

A(DC)

A (Pulse)*

EBO

Collector Current

0.5

Collector Power Dissipation

T ,

Tstg

Junction Temperature,

Storage Temperature

150, -55 to +150

* Single pulse Pw = 20ms

(Ta=25 unless otherwise noted )

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Min

Typ

Symbol

Max

Unit

100

Collector-Base Breakdown Voltage(Ic=100uA)

Collector-Emitter Breakdown Voltage(Ic=1mA)

CBO

CEO

EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage(I =100uA)

Collector Cutoff Current(V =80V)

CBO

EBO

Emitter Cutoff Current(V =4V)

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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