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KTD1898

更新时间: 2024-11-19 22:32:03
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1页 120K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)

KTD1898 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.41Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

KTD1898 数据手册

  

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