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KTD1898-GR

更新时间： 2024-02-18 22:14:14

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KEC		局域网晶体管
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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTD1898-GR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

KTD1898-GR 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTD1898

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

FEATURES

1W (Mounted on Ceramic Substrate).

Small Flat Package.

Complementary to KTB1260.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

2.50 0.20

1.70 MAX

0.45+0.15/-0.10

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

)

4.25 MAX

1.50 0.10

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

0.40 TYP

1.75 MAX

100

0.75 MIN

0.5+0.10/-0.05

1. BASE

2. COLLECTOR (HEAT SINK)

3. EMITTER

-1

I_E

Emitter Current

P_C

500

Collector Power Dissipation

P_C*

SOT-89

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

* Mounted on ceramic substrate (250mm²0.8t)

Marking

Rank

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX. UNIT

V_CB=80V, I_E=0

I_EBO

V_(BR)CEO

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_EB=4V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

I_C=1mA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

V_CE=3V, I_C=500mA

I_C=500mA, I_B=20mA

400

0.4

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

MHz

V_CE=10V, I_C=50mA, f=100MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

100

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FEClassification O:70 140, Y:120 240, GR:200 400

2003. 7. 3

Revision No : 1

1/3

12 3

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