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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220IS, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KTD1937_07 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
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| KTD2005 | TYSEMI |
获取价格 |
Low ON resistance 2.5V drive Mounting height 1.1mm Composite type, facilitating high-densi |
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| KTD2005 | KEXIN |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| KTD2017 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET |
|
| KTD2017 | TYSEMI |
获取价格 |
Low ON resistance 2.5V drive Mounting height 1.1mm Composite type, facilitating high-densi |
|
| KTD2058 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE) |
|
| KTD2058 | CJ |
获取价格 |
TO-220-3L |
|
| KTD2058 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-220F |
|
| KTD2058O | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| KTD2058Y | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
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