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KTD1898-Y PDF预览

KTD1898-Y

更新时间： 2024-11-02 00:58:51

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	337K
描述
NPN Transistors

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KTD1898-Y 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Transistors

KTD1898

1.70 0.1

■ Features

● Small Flat Package

● General Purpose Application

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

100

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

80

5

1

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

I

C

A

P

C

500

mW

℃/W

RθJA

250

T

J

150

℃

Storage Temperature Range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

100

80

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 100 μA， I

Ic= 1 mA， I = 0

= 100μA， I

E= 0

B

5

I

E

C= 0

I

CBO

EBO

V

V

^CB= 80 V , I

EB= 4V , I

E

= 0

1

1

uA

V

I

C

=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=500 mA, I

B

=20mA

=20mA

0.4

1

V

C

=500 mA, I

B

hFE

V

V

V

^CE= 3V, I

C

= 500mA

= 0,f=1MHz

= 50mA , f=100MHz

70

400

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

CB= 10V, I

CE= 10V, I

E

20

pF

f

C

100

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

KTD1898-O

70-140

ZO

KTD1898-Y

120-240

ZY

KTD1898-G

200-400

ZG

1

www.kexin.com.cn

1

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