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KTD1898-GR

更新时间： 2024-11-19 01:15:19
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美微科 - MCC 晶体管
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2页 347K
描述
NPN Silicon Power Transistors

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KTD1898-GR 数据手册

 浏览型号KTD1898-GR的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
Micro Commercial Components  
KTD1898-O  
KTD1898-Y  
KTD1898-GR  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
High VCEO, VCEO=80V  
High IC, IC=1.0A(DC)  
•
•
NPN Silicon  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Power Transistors  
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·
·
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
SOT-89  
ꢀ
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Value  
80  
100  
5.0  
1.0  
0.5  
Unit  
V
V
V
A
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
B
K
ꢀ
ꢀ
Collector Current, DC  
ꢀ
ꢀ
PC  
Collector Power Dissipation  
W
ꢀ
ꢀ
RthJA  
TJ  
ThermalResistanceFromJunctionToAmbient  
Junction Temperature  
250  
-55 to +150  
-55 to +150  
OC/W  
ꢀ
ꢀ
OC  
E
ꢀ
ꢀ
OC  
C
TSTG  
Storage Temperature  
ꢀ
ꢀ
D
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
G
H
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
J
ꢀ
ꢀ
F
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
ꢀ
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc,IB=0)  
Collector-Base Breakdow n Voltage  
(IC=100uAdc,IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc,IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=80Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, I C=0)  
DC Current gain  
80  
100  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1. BASE  
ꢀ
ꢀ
---  
Vdc  
1
2
3
ꢀ
ꢀ
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
1.0  
1.0  
400  
0.4  
---  
uAdc  
uAdc  
---  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
---  
70  
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(VCE=3.0Vdc, IC=0.5Adc)  
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1.55  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
Vdc  
MHz  
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(I /IB=500mA/20mA)  
C
.061  
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REF.  
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ꢎꢍꢒꢕꢆ  
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ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
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ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
Transition Frequency  
(VCE=10Vdc, IC=50mAdc,  
f=100MHz)  
---  
100  
ꢆ
ꢆ
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
C
ob  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
---  
20  
---  
pF  
 ꢆ  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
O
Y
GR  
200-400  
70-140  
ZO  
120-240  
ZY  
ZG  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2015/10/21  
12

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与KTD1898-GR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTD1898-GR-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
KTD1898-O KEXIN

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 		NPN Transistors
KTD1898-O SECOS

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 		1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor
KTD1898-O MCC

获取价格

 		NPN Silicon Power Transistors
KTD1898-Y KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
KTD1898-Y MCC

获取价格

 		NPN Silicon Power Transistors
KTD1898-Y-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
KTD1937 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP SOLENOID)
KTD1937_07 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTD2005 TYSEMI

获取价格

 		Low ON resistance 2.5V drive Mounting height 1.1mm Composite type, facilitating high-densi

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