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KTD1898

更新时间： 2024-02-12 19:05:45

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TYSEMI		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
1页	74K
描述
Collector Power Dissipation: PC=500mW

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KTD1898 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
Base Number Matches：	1

KTD1898 数据手册

Product specification

KTD1898

Unit:mm

SOT-89

1.50 ±0.1

4.50±0.1

1.80±0.1

■ Features

● Collector Power Dissipation: PC=500mW

● Collector Current: IC=1A

0.44±0.1

0.48±0.1

0.53±0.1

3.00±0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

100

Collector Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

500

℃

150

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Symbol

Test conditons

IC=1mA, IB=0

Min

Typ Max

Unit

V(BR)CEO

ICBO

IEBO

VCB=80V, IE=0

VEB=4V, IC=0

μA

400

DC Current Gain

hFE

VCE=3V, IC=500mA

IC=500mA, IB=20mA

VCE=10V, IC=10mA

VCB=10V, IE=0, f=1MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition frequency

VCE(sat)

0.4

100

MHz

Collector Output Capacitance

Cob

■ hFE Classification

Marking

Rank

hFE

ZGR

70～140

120～240

200～400

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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