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KTD1863

更新时间: 2024-11-16 22:32:03
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2页 253K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)

KTD1863 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, R-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.74
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:R-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

KTD1863 数据手册

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