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KTD1854T PDF预览

KTD1854T

更新时间： 2024-11-17 22:32:03
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KEC 晶体晶体管光电二极管放大器局域网
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2页 77K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTD1854T 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：4000JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KTD1854T 数据手册

 浏览型号KTD1854T的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTD1854T  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
DRIVER APPLICATIONS.  
FEATURES  
E
B
K
ᴌAF amplifier, solenoid drivers, LED drivers.  
ᴌDarlington connection.  
DIM MILLIMETERS  
_
A
B
2.9+0.2  
1.6+0.2/-0.1  
ᴌHigh DC current gain.  
ᴌVery small-sized package permitting sets to be made  
smaller and slimer.  
_
C
D
0.70+0.05  
2
1
3
_
0.4+0.1  
E
F
2.8+0.2/-0.3  
_
1.9+0.2  
G
0.95  
ᴌComplementary to KTB1234T.  
_
H
I
J
K
L
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
0.55  
I
H
MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)  
J
J
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
80  
UNIT  
V
1. EMITTER  
2. BASE  
3. COLLECTOR  
50  
V
10  
V
DC  
Pulse  
200  
Collector Current  
mA  
TSM  
ICP  
400  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
0.9  
W
ᴱ
ᴱ
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)  
Marking  
EQUIVALENT CIRCUIT  
Lot No.  
COLLECTOR  
Type Name  
L Y  
BASE  
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
100  
UNIT  
nA  
nA  
V
VCB=60V, IE=0  
-
-
-
-
IEBO  
VEB=8V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
100  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IC=10ỌA, IE=0  
80  
50  
10  
5000  
4000  
-
IC=1mA, IB=0  
V
IC=10ỌA, IC=0  
V
hFE  
hFE  
1
2
VCE=2V, IC=10mA  
VCE=2V, IC=100mA  
IC=100mA, IB=100ỌA  
IC=100mA, IB=100ỌA  
-
-
DC Current Gain  
-
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
0.9  
1.5  
1.5  
2.0  
V
V
-
2001. 10. 23  
Revision No : 0  
1/2  
12

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