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KTD1824E PDF预览

KTD1824E

更新时间： 2024-11-29 22:32:03
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KEC 晶体晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION)

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KTD1824E 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

KTD1824E 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTD1824E  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION.  
FEATURES  
E
B
ᴌHigh foward current transfer ratio hFE.  
ᴌLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
MILLIMETERS  
DIM  
A
B
.
_
+
1.60 0.10  
D
ᴌHigh emitter to base voltage VEBO  
ᴌLow noise voltage NV.  
.
_
+
2
1
0.85 0.10  
_
+
0.70 0.10  
C
D
E
G
H
3
0.27+0.10/-0.05  
_
ᴌESM type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
+
1.60 0.10  
_
+
1.00 0.10  
0.50  
_
J
0.13+0.05  
J
MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)  
1. EMITTER  
2. BASE  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
50  
UNIT  
V
3. COLLECTOR  
40  
V
15  
V
ESM  
DC  
Pulse  
50  
Collector Current  
mA  
ICP  
100  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
100  
mW  
ᴱ
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
Marking  
Type Name  
h
Rank  
FE  
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
nA  
ỌA  
V
VCB=20V, IE=0  
-
-
-
-
100  
1
Collector Cut-off Current  
ICEO  
VCE=20V, IB=0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE (Note)  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
IC=10ỌA, IE=0  
50  
40  
15  
400  
-
IC=1mA, IB=0  
V
IE=10ỌA, IC=0  
V
VCE=10V, IC=2mA  
IC=10mA, IB=1mA  
VCB=10V, IE=-2mA, f=200MHz  
1000  
0.05  
120  
2000  
0.2  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
-
MHz  
Note : hFE Classification A:400~800, B:600~1200, C:1000~2000  
2001. 10. 23  
Revision No : 0  
1/3  
123

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