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IXYK300N65A3

更新时间: 2024-04-09 18:40:59
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力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
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8页 315K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产,具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

IXYK300N65A3 数据手册

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IXYK300N65A3  
IXYX300N65A3  
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Collector Current  
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Gate Resistance  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
11  
10  
9
10  
8
12  
10  
8
E
R
E
off  
on  
= 1  
V
= 15V  
,  
G
GE  
V
= 400V  
CE  
I
= 100A  
C
8
6
7
E
E
off  
on  
T = 150oC , V = 15V  
T = 150oC  
J
J
GE  
6
4
6
V
= 400V  
CE  
5
4
2
4
I
= 50A  
7
C
T = 25oC  
3
J
2
0
2
50  
55  
60  
65  
70  
75  
80  
85  
90  
95  
100  
1
2
3
4
5
6
8
9
10  
RG - Ohms  
IC - Amperes  
Fig. 15. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
11  
10  
9
E
E
off  
= 1  
on  
t f i  
td(off)  
R
VGE = 15V  
,  
G
T = 150oC, V = 15V  
J
GE  
VCE = 400V  
V
= 400V  
CE  
8
IC = 100A  
7
6
I
= 100A  
C
5
I
= 50A  
C
4
IC = 50A  
3
2
1
40  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
TJ - Degrees Centigrade  
RG - Ohms  
Fig. 18. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Collector Current  
240  
200  
160  
120  
80  
400  
250  
200  
150  
100  
50  
360  
t f i  
td(off)  
t f i  
td(off)  
R
= 1 , V = 15V  
R
G
= 1 , V = 15V  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
G
GE  
GE  
320  
280  
240  
200  
160  
V
= 400V  
V
= 400V  
CE  
CE  
T = 150oC  
J
I
= 100A  
C
T = 25oC  
J
I
= 50A  
C
40  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
50  
55  
60  
65  
70  
75  
80  
85  
90  
95  
100  
IC - Amperes  
TJ - Degrees Centigrade  
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