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IXYN75N65C3D1

更新时间： 2024-11-19 14:56:43

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	255K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYN75N65C3D1 数据手册

Advance Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX3^TMw/ Diode

IXYN75N65C3D1

V_CES= 650V

I_C110= 75A

V_CE(sat) 2.3V

t_fi(typ)= 60ns

Extreme Light Punch through

IGBT for 20-60kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E 

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

150

E 

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 110°C

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

T_C= 25°C, 1ms

360



either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

I_A

E_AS

T_C= 25°C

300

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 3

Clamped Inductive Load

I_CM= 150

μs

(RBSOA)

V_CE V_CES

Features

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive



Isolation

2500V~ Isolation Voltage

Optimized for 20-60kHz Switching

Square RBSOA

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

Anti-Parallel Fast Diode

P_C

T_C= 25°C

600



T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175



TV_ISOL

50/60Hz

I_ISOL1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

Advantages

Weight



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

3.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

6.0

25 A

100 nA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.8

2.2

2.3

DS100661(4/15)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYN80N90C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN82N120C3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXYN82N120C3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYN82N120C3H1	IXYS	获取价格	High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
IXYN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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