Datasheet > IXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1

更新时间： 2024-11-06 14:56:07

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	216K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYN80N90C3H1 数据手册

Preliminary Technical Information

900V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 900V

I_C90= 70A

IXYN80N90C3H1

V_CE(sat) 2.7V

t_fi(typ)= 86ns

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

900

E

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 110°C

115

E

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

340

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

 ither emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

I_CM= 160

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Features

-55 ... +150



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Isolation Voltage 2500V~

Anti-Parallel Sonic Diode



V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

High Current Handling Capability

International Standard Package



Weight



Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.5



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

25 μA

T_J= 125°C

1.5 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

2.3

2.9

2.7

DS100522A(12/15)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IXYN80N90C3H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYN82N120C3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXYN82N120C3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYN82N120C3H1	IXYS	获取价格	High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
IXYN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1M	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP15N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP15N65C3D1	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information

与IXYN80N90C3H1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1 数据手册

与IXYN80N90C3H1相关器件

与IXYN80N90C3H1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1 数据手册

与IXYN80N90C3H1相关器件

与IXYN80N90C3H1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？