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IXYN82N120C3

更新时间： 2024-11-18 19:58:39

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	169K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXYN82N120C3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	105 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	4.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	295 ns
标称接通时间 (ton)：	119 ns	Base Number Matches：	1

IXYN82N120C3 数据手册

Preliminary Technical Information

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 66A

V_CE(sat)≤ 3.2V

t_fi(typ)= 93ns

IXYN82N120C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E c

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

120

E c

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

380

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

I_A

E_AS

T_C= 25°C

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

800

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2Ω

I_CM= 164

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE≤ V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

600

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

2500V~ Isolation Voltage

Positive Thermal Coefficient of

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

Vce(sat)

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

International Standard Package

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

4.5

25 μA

500 μA

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.76

3.20

DS100389A(12/12)

12 3 4 5 6

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IXYN82N120C3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGN60N60C2	IXYS	功能相似	HiPerFASTTM IGBTs with Diode

与IXYN82N120C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYN82N120C3H1	IXYS	获取价格	High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
IXYN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1M	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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IXYP15N65C3D1	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information
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