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IXYN82N120C3

更新时间： 2024-01-04 07:15:50
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
6页 169K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXYN82N120C3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MINIBLOC-4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.63其他特性：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：105 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：4.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：500 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：295 ns
标称接通时间 (ton)：119 nsBase Number Matches：1

IXYN82N120C3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
1200V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
VCES = 1200V  
IC110 = 66A  
VCE(sat) ≤ 3.2V  
tfi(typ) = 93ns  
IXYN82N120C3  
High-Speed IGBT  
for 20-50 kHz Switching  
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E c  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
120  
66  
A
A
E c  
C
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
380  
A
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
41  
A
c
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
800  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2Ω  
ICM = 164  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE ≤ VCES  
Features  
PC  
TC = 25°C  
600  
W
z
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
2500V~ Isolation Voltage  
Positive Thermal Coefficient of  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
z
-55 ... +175  
z
VISOL  
50/60Hz  
IISOL ≤ 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Vce(sat)  
Avalanche Rated  
High Current Handling Capability  
International Standard Package  
z
z
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
z
Weight  
30  
g
Advantages  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
2.5  
Typ.  
Max.  
z
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
4.5  
z
z
z
z
z
25 μA  
500 μA  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 82A, VGE = 15V, Note 1  
2.75  
3.76  
3.20  
V
V
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100389A(12/12)  
123456

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