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IXYP30N120C3

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	213K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYP30N120C3 数据手册

1200V XPT^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 30A

V_CE(sat) 3.3V

t_fi(typ)= 88ns

IXYP30N120C3

IXYH30N120C3

GenX3^TMIGBTs

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-220 (IXYP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

Tab

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD (IXYH)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

145

I_A

E_AS

T_C= 25°C

Tab

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 60

G = Gate

E = Emitter

Collector

(RBSOA)

V_CE V_CES

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Features

-55 ... +175



High Voltage Package

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in



Avalanche Rated

International Standard Packages

Weight

TO-220

TO-247

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines



5.0



25 A

750 μA



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

3.3



Lamp Ballasts

3.7

DS100385D(9/13)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYP30N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP50N65C3	IXYS	获取价格	IGBT 650V 130A 600W TO220
IXYP50N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP8N90C3	IXYS	获取价格	900V XPTTM IGBT
IXYP8N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP8N90C3D1	IXYS	获取价格	900V XPTTM IGBT
IXYP8N90C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65C3D1	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYQ40N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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